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美光起訴晉華，對中國存儲器的專利戰開始了？

像紫光集團等中國記憶體新貴在與三星、海力士和美光等記憶體三巨頭真正于市場上較量之前，很可能得先在法庭上打一場專利訴訟戰…McClean說：“我認為中國記憶體企業將來會在市場上站穩腳跟，但其過程可能類似晶圓代工產業曾經發生的事情。

三星公布64層NAND 芯片容量512Gb

而三星特有的快閃記憶體制程技術，電荷擷取快閃記憶體(Charge Trap Flash；CTF)，是以電荷擷取(Charge Trap)膜或電洞捕捉作為載子的電子，借此記錄或消去資料

三星公布64層NAND 芯片容量512Gb

而三星特有的快閃記憶體制程技術，電荷擷取快閃記憶體(Charge Trap Flash；CTF)，是以電荷擷取(Charge Trap)膜或電洞捕捉作為載子的電子，借此記錄或消去資料。

瑞薩成功開發鰭狀MONOS快閃存儲器單元

瑞薩電子(Renesas)宣布成功開發首創采用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽快閃記憶體(SG-MONOS)單元，適用于電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)制程

大陸存儲器產業崛起將改變全球產業版圖 韓廠備感威脅

預料大陸記憶體市場當前發展的4大主力，將由長江存儲（負責3D NAND Flash、DRAM生產）、武漢新芯（負責NOR Flash、邏輯代工）擔綱重任，而福建晉華存儲器項目、合肥市存儲器項目也將有所發揮。

存儲器價格上揚 芯片產業前景微露曙光

又有一家市場研究機構調升了對2016與2017年半導體產業成長率的預測──International Business Strategies (IBS)現在認為2016年晶片產業成長率為0 2%，2017年則為4 6%。

第三季DRAM合約價上漲趨勢確立

經過近兩年的續跌，6月DRAM合約價已呈現持平；預估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4~8%。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示

南韓存儲器產業Q1占全球比重降破6成

由于主要終端裝置需求不佳，加上記憶體價格持續下滑，2016年第1季南韓記憶體產值降破11 5兆韓元，較前季及2015年同期分別減少9%、11 5%。