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舊金山國際電子設備會議(IEDM)消息：國際電子設備會議(IEDM)第一天的會場里人頭涌涌，來自TSMC和IBM的研究人員 在會上做了關于7-nm工藝流程技術的發言報告
涉嫌侵犯FinFET專利，韓國科技院把三星、高通及GF告上法庭
除了智能手機知名之外，三星還是全球重要的半導體公司，在2016年TOP20半導體公司中營收排名第二，僅次于Intel，領先于TSMC臺積電。
TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產。
三星、TSMC、Intel爭搶7nm首發，AMD的“GF”也要領先
2016年半導體的主流工藝是14 16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星 GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節點是10nm，三方都會在明年量產
雖然TSMC在10nm及7nm工藝節點宣傳上一路狂奔，號稱獨吞蘋果今年的A10處理器訂單，明年的A11訂單也能拿下大部分份額。
ARM和TSMC今天宣布，兩家公司將共同開展7nm FinFET芯片的設計工作。較低的門檻意味著即便門是關閉的也會泄漏大量的電流，所以會消耗電池，釋放太多的熱能。
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