v-nand關鍵字列表
三星在近日的財報中表示今年第四季度NAND閃存供應仍然十分地緊張，目前三星正把閃存產能大量投放于LPDDR4X以及VNAND等高端產品線
三星宣布量產64層V-NAND閃存芯片： 傳輸速度達1Gbps
三星電子今天宣布，已經開始批量生產64層256Gb V-NAND閃存芯片，該閃存芯片將用于服務器，PC和移動設備。三星還表示，基于其64層V-NAND的成功，三星未來還將通過堆疊超過90層的單元陣列，以生產具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
三星公司已經開始量產其48層（即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術）3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3（mSATA接口加850 EVO V2）、NVMe SSD（PM971-NVMe）以及企業級SSD（PM1633a）等SSD產品。
在三星推出這款256GB MicroSD儲存卡之前，市場上僅僅只有閃迪推出了200GB以上產品。三星表示，這款256GB MicroSD儲存卡采用了V-Nand技術打造，最快可以實現95MB s的持續讀取與90MB s的持續寫入速度。
企業網版權所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6
京公網安備 11010502049343號
