SSD在2013年穩定發展，隨著SSD的技術走向成熟，NAND密度不斷提升，市場上的SSD的價格也在不斷的下降，另一方面12Gb/s SAS接口的閃存產品也開始出現。

· sTec在2013年發布了s840，這是一款2TB SAS SSD。

· 美光在過去的一年中表現的不是很好，其P400M 也只是出了一個6Gb/s SAS接口的版本。

· HGST在2013年4月發布了12Gb/s SAS接口的SSD1000MR

HGST SSD1000MR

浦科特之前有表示在CES上發布一款TLC SSD，但是后來將這一時間點推遲到了6月。

SMART在5月發布了一款2TB SSD

希捷在5月發布了三款SSD 其中包括兩款6Gb/s SATA以及一款12Gb/s SAS SSD。(本部分只提到了SATA /SAS接口的SSD 產品)。

三星發布了一款1.6TB SSD，

混合產品

使用閃存加上磁盤做成的混合產品成為了市場的寵兒，其中包括使用閃存作為緩存的混合硬盤以及使用閃存作為第一層的混合存儲陣列。

例如希捷在2013年三月發布的2TB SSHD有8GB閃存作為Cache，這是希捷第三代混合硬盤產品了，他還研發了筆記本混合硬盤產品Momentus XT。在6月份，希捷發布了一個2.5英寸的企業級混合硬盤，閃存部分容量為16GB，磁盤轉速是10000轉，這款硬盤已經被用到IBM 的一些服務器當中。

除了希捷，其他硬盤廠商也沒閑著，西部數據12月發布了Black2 Dual硬盤，擁有1TB的磁盤和120的閃存。

值得注意的是這些混合硬盤中閃存和磁盤資源是分開的而不是一個單獨的資源池。具體將來是不是維持這種做法還有待觀察。

服務器閃存DIMM

還有一種比較重要的閃存技術在2013年也得到了很大的發展，SMART宣布他已經可以使用Diablo公司的技術將閃存做到內存DIMM模塊中，這樣的話服務器的閃存將有比PCIe閃存卡更低的延遲。

這樣，服務器內存系統的一部分將被更為便宜的閃存所取代。現在看來，內存是最快的，然后是這種利用內存架構做的閃存，比這種閃存慢些的是PCIe閃存卡，這些之后是閃存陣列以及磁盤陣列等。

這項技術是在2013年4月份被提出來的，之后的7月份閃迪收購了SMART，再之后內存技術廠商Netlist控訴SMART和Diablo的ULLtraDIMM產品盜取了自己的DIMM技術。

PCIe性能的提升

在過去的一年中PCIe閃存卡市場上是非常熱鬧的，幾乎所有主流的廠商都加入了這場游戲。其中有EMC, Fusion-io, IBM-TMS, Intel, Micron, LSI, OCZ, Samsung, Seagate-Virident, sTec, SanDisk以及Violin Memory.其中有些新的亮點列舉如下：

· sTec在1月發布了一款2TB的PCIe閃存卡1120

· 四月Fusion-io宣布自己的PCIe閃存卡可以做到960萬IOPS(這是個驚人的數字)

· Violin Memory六月份發布了Velocity PCIe閃存卡

· 9月份Virident發布了4.8TB的FlashMAX閃存卡

可以看出都是在自己之前的產品基礎之上做的升級，并沒有顛覆性的技術創新出現。PCIe閃存卡仍然是一個主流。

緩存軟件領域只有Fusion-io和Virident有將PCIe模擬成為內存的軟件，但是據我們所知，并沒有服務器廠商將這種方案作為一個標準方案來用。