據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)成功“擠掉”臺(tái)積電，搶到了高通首批FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）芯片的訂單。

據(jù)悉，三星將會(huì)使用14納米制程工藝生產(chǎn)FinFET芯片，而臺(tái)積電則使用16納米。雖然16納米晶粒的尺寸比14納米要大，不過(guò)臺(tái)積電稱依然可以通過(guò)將芯片生產(chǎn)良品率最大化的方式提高產(chǎn)能，從而幫助客戶降低生產(chǎn)成本。

在28納米或更為成熟的工藝上，高通選擇了與多家代工廠商進(jìn)行合作，包括臺(tái)積電、三星、Globalfoundries、聯(lián)電和中芯國(guó)際。而在FinFET產(chǎn)品的開發(fā)過(guò)程中，高通也單獨(dú)選擇了三星。分析人士認(rèn)為，高通此舉有一定的風(fēng)險(xiǎn)性，F(xiàn)PGA芯片廠商Altera就曾讓英特爾獨(dú)立開發(fā)14納米FinFET產(chǎn)品，但之后因后者的良品率較低，被迫將訂單轉(zhuǎn)交給了臺(tái)積電。

另?yè)?jù)消息稱，高通的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一聯(lián)發(fā)科一直保持著與臺(tái)積電的合作關(guān)系，業(yè)務(wù)涉及28納米和20納米工藝。未來(lái)，聯(lián)發(fā)科將繼續(xù)使用臺(tái)積電的16納米FinFET Plus工藝開發(fā)芯片。