7月3日，中國產(chǎn)能正再被海外芯片企業(yè)所重視，成為后者攻城略地的重要砝碼。高通宣布，其子公司美國高通技術(shù)公司與中芯國際集成電路制造有限公司(以下簡稱“中芯國際”)將在28納米工藝制程和晶圓制造服務(wù)方面展開合作，在中國本地制造高通驍龍?zhí)幚砥鳌Ｖ行緡H是目前內(nèi)地規(guī)模較大且技術(shù)先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。 　　

雖然高通一直處于無線通信技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，但是其也是全球最大的無晶圓半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，這就是說，它的所有產(chǎn)品均為代工生產(chǎn)。這亦是高通最大的軟肋，即無法自我控制產(chǎn)能。 　　

美國高通技術(shù)公司執(zhí)行副總裁兼QCT聯(lián)席總裁Murthy Renduchintala表示，合作是對區(qū)域供應(yīng)鏈戰(zhàn)略的執(zhí)行。 　　

就在不久之前，其在移動端的主要競爭對手，英特爾曾宣布與瑞芯微達(dá)成戰(zhàn)略合作。英特爾首席執(zhí)行官科再奇表示，合作將可以更快速交付英特爾的方案和產(chǎn)品組合，從而更加務(wù)實多樣地提高騎在全球移動市場的份額。 　　

雖然英特爾與瑞芯微的合作目前僅限于平板電腦產(chǎn)品，但多數(shù)業(yè)界分析師認(rèn)為其將延伸至智能手機(jī)領(lǐng)域。 　　

事實上，高通與英特爾在移動領(lǐng)域勢必將有一戰(zhàn)。 　　

2015年前后英特爾基于14納米工藝制程的移動芯片或?qū)⒊鲐洠@被業(yè)界認(rèn)為將有可能改善目前功耗和散熱問題，從而對ARM陣營造成沖擊。 　　

與此同時，作為ARM陣營的高通，在高端芯片產(chǎn)品設(shè)計上，更加偏向在使用其自主研發(fā)的Karit架構(gòu)，以提高性能，降低功耗。 　　

不過，眼下對高通和英特爾來說最為重要的是抓住中國市場4G元年的契機(jī)，快速出貨以滿足市場需求，并搶占更多市場。隨著博通、英偉達(dá)等的退出，市場留下的縫隙將被“剩者”迅速填滿。