SK海力士今天稱，它開發了全球首款硅通孔封裝(TSV)技術的存儲芯片，芯片速度和效率大大提高。
SK海力士稱，這款高帶寬內存芯片處理速度達到128字節/秒，這是GDDR5芯片的四倍，它可以在1.2伏特的電壓下運行。
SK海力士稱，這款芯片將耗電量小于40%。
它與AMD共同開發，新產品使用TSV技術結合40納米級別DRAM，可使DRAM以更高電效率連接。
SK海力士稱TSV芯片能夠應用于高圖形性能設備，也能用于超級計算機和服務器中。據說這款芯片將于2014年下半年開始量產。
責任編輯：editor03
2013-12-27 09:39:54
摘自：手機中國
SK海力士今天稱，它開發了全球首款硅通孔封裝(TSV)技術的存儲芯片，芯片速度和效率大大提高。這是GDDR5芯片的四倍，它可以在1.2伏特的電壓下運行。
SK海力士今天稱，它開發了全球首款硅通孔封裝(TSV)技術的存儲芯片，芯片速度和效率大大提高。
SK海力士稱，這款高帶寬內存芯片處理速度達到128字節/秒，這是GDDR5芯片的四倍，它可以在1.2伏特的電壓下運行。
SK海力士稱，這款芯片將耗電量小于40%。
它與AMD共同開發，新產品使用TSV技術結合40納米級別DRAM，可使DRAM以更高電效率連接。
SK海力士稱TSV芯片能夠應用于高圖形性能設備，也能用于超級計算機和服務器中。據說這款芯片將于2014年下半年開始量產。
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