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交叉內存芯片挑戰DRAM地位

責任編輯:editor03

2013-08-15 08:59:24

摘自:網易科技

一家美國創業公司開發出一種更緊湊更快的內存芯片,向DRAM和Flash芯片...

一家美國創業公司開發出一種更緊湊更快的內存芯片,向DRAM和Flash芯片發起了挑戰。新的內存芯片被稱為交叉內存(crossbar memory),由Crossbar研發,該公司聯合創始人兼首席科學家是密歇根大學教授Wei Lu。

新內存芯片挑戰DRAM和Flash

演示用交叉內存芯片正在臺積電制造,一塊200平方毫米大小的芯片能儲存1TB數據,相比之下,一塊類似大小的flash內存芯片只能儲存16GB數據。所謂交叉內存是指出兩層均勻分布棒狀的電極上下疊加在一起,上層和下層呈直角,形成一個網格。數據比特就儲存在交叉點。在 Crossbar的芯片中,上層電極由銀構成,下層由非金屬導體構成,用非晶硅在交叉點儲存數據。Crossbar獲得了2500萬美元的投資商業化Lu 的研究。

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