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三星3GB內(nèi)存芯片量產(chǎn)

責(zé)任編輯:楊傳波

2013-07-25 10:35:23

摘自:搜狐IT

三星宣布,旗下高密度的LPDDR3芯片即將量產(chǎn),該內(nèi)存模組的數(shù)據(jù)傳輸速率最高能達(dá)到2133Mbps。

北京時(shí)間7月25日消息,三星宣布,旗下高密度的LPDDR3芯片即將量產(chǎn),該內(nèi)存模組的數(shù)據(jù)傳輸速率最高能達(dá)到2133Mbps。目前手機(jī)中使用的是2GB封裝芯片。

據(jù)三星介紹,LPDDR3芯片模組由6顆20納米4GB內(nèi)存芯片分兩列堆疊而成,厚度僅為0.8毫米,數(shù)據(jù)傳輸速率為2133Mbps。3GB LPDDR3內(nèi)存連接到移動(dòng)應(yīng)用處理器,它由兩個(gè)對(duì)稱的數(shù)據(jù)傳輸通道組成,每個(gè)連接1.5GB存儲(chǔ)部分。非對(duì)稱數(shù)據(jù)流會(huì)導(dǎo)致某些設(shè)定下性能大降,對(duì)稱架構(gòu)可以避免此類問題,將性能提高到最高水平。

業(yè)界人士表示,LPDDR3芯片即將量產(chǎn),意味著下一代高端智能手機(jī)將有望采用3GB內(nèi)存。采用這種芯片的智能手機(jī)將更加輕薄,并能提升電池容量。此外,更大、更快的內(nèi)存芯片,還能夠更好地支持多任務(wù)處理、視頻播放,并給需要大容量內(nèi)存的應(yīng)用帶來更出色的表現(xiàn)。

三星還表示,該公司目前正在開發(fā)另一個(gè)版本的芯片產(chǎn)品,該芯片產(chǎn)品使用了4顆6GB內(nèi)存芯片進(jìn)行堆疊,開發(fā)成功后將能夠進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能。

三星表示,新開發(fā)的內(nèi)存芯片不僅可以用在智能手機(jī)上,平板電腦未來同樣也可以使用這種芯片。

從今年下半年開始,最新的、最高端的智能手機(jī)就會(huì)采用3GB內(nèi)存,明年大多的高端手機(jī)都會(huì)采用。

(Risen)

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