DRAM關鍵字列表
這兩年，DRAM芯片廠商們頗為風光。
中興事件再起，美國發布“晉華禁令”，這次遭殃的是存儲芯片DRAM
中興事件再次上演了，這次輪到了福建晉華。
存儲企業通常都會同時經營Flash閃存和DRAM芯片兩類市場，在今年Flash閃存價格節節下滑，DRAM的相對堅挺為企業保證了盈利空間。
內存模組大廠威剛(3260)董事長陳立白指出，先前雖預期今年DRAM可能會缺到第三季，但現在預期今年DRAM仍會缺貨一整年。
紫光國芯周一在全景網投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現較高的容量。針對投資者關于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優勢的詢問，紫光國芯作出上述回應。
本周，據韓聯社報道，三星電子宣布開始使用第二代10nm工藝生產出了8Gb DDR4顆粒，這是繼第一代10nm工藝生產后時隔兩年的時間，技術上的再一次迭代。
IC Insights分析，DRAM的供需缺口是全面性的，特別是服務器使用的高效能DRAM與智能型手機等行動裝置所使用的低功耗、高密度DRAM
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
這兩年內存價格的一路飆升讓人感到刻骨銘心，而就在2017年第四季度，內存價格開始穩定并有所回落，DRAM內存芯片的行業價格也下跌了5％
南亞科總經理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價格持續看漲，但漲幅會收斂些，下半年則仍待觀察三星、SK海力士二大韓廠實際增產內容才能做明確分析。目前來看，韓國二大廠都表明將依市場需求增產，分析DRAM產業到明年都可維持健康穩定。
韓國繼續統治全球DRAM和NAND芯片市場 中國競爭極為有限
據外電報道，市場調研公司IHS Markit周四發布報告稱，韓國芯片巨頭今年第三季度在DRAM和NAND閃存市場繼續保持著統治優勢。
據外媒報道，經過50年的發展，半導體市場仍然顯得非常活躍，它在今年有望增長20%。如果它們不增加預算，提高產能，那么它們就可能面臨市場份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。
2019 年，中國三大存儲陣營的技術開發成果將見真章，包括長江存儲的下一代的 64 層 3D NAND 芯片、聯電扶植的福建晉華集成的 2x 納米技術，以及合肥睿力的 19 納米 DRAM 技術。
由于需求太強勁，此波DRAM價格從去年下半年以來每季都調漲，加計下季持續漲價，報價連續七季走揚，堪稱DRAM史上時間最長的多頭行情。
南亞科重返PC DRAM市場 首顆20納米8Gb DDR4 DRAM通過認證
南亞科先前雖已取得美光20納米授權，但僅限于生產DDR3 DRAM，南亞科因而走自主研發之路，自行研發20納米制程 DDR4 DRAM，躋身有自主能力生產主流DRAM產品的大廠之列。
今年存儲器供給吃緊，推升價格持續走揚，研調機構ICInsights預期第四季DRAM銷售金額將創歷史新高。天下無不散的宴席，歷史經驗顯示存儲器產業大幅擴張后，隨著產能明顯增加、價格開始失去支撐，在不久的未來，存儲器產業可能走下坡，不排除大幅拉回。
三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。對于普通消費者來說，此舉還意味著，1x-nm以及更老的工藝的內存成本和最終價格將有望下探。
三星稱，和第一代10納米級工藝相比，第二代工藝的產能提高30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的DRAM芯片需求。
企業網版權所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6
京公網安備 11010502049343號
