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更重要的是，臺積電表示其以7奈米制程打造的SRAM測試晶片，其良率已經(jīng)展現(xiàn)相當水準，達成臺積電的設計目標。修復程序并不是生產(chǎn)流程的一部分，因此無法說明三星是否已準備好將EUV應用在7奈米制程。
臺積電10nm發(fā)威 聯(lián)發(fā)科Helio X30明年初量產(chǎn)拔頭籌
雖然臺積電、三星、英特爾(Intel)都在10奈米制程上猛烈交鋒，但臺積電因為成功掌握蘋果、聯(lián)發(fā)科等大客戶，獲得漂亮的絕對贏家姿態(tài)。
7nm制程：英特爾因10nm進度延后;三星全力反撲；臺積電值得期待
7納米制程目前在128Mb靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)良率已達40%以上，會是業(yè)界首家通過7奈米制程技術認證的廠商，明年第1季完成技術認證，預定2018年邁入量產(chǎn)。
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